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（調(diào)查報告公司出品方/策略師：國海證券鄭震湘佘凌星 陳永亮）
1.1 耕耘輸出功率積體電路，IDM&程序語言博戈達
PSBD 晶片、PMBD 晶片已逐步形成完備的民用系列商品和車規(guī)系列商品，并穩(wěn)步減少新技術(shù)標準。當中，電動汽車引擎高效率 PMBD 整流器晶片已在數(shù)家斯堪尼亞試驗中；FRED 整流器晶片已同時實現(xiàn) 200V-600V 多系列商品批量生產(chǎn)，并漸漸向 1200V 及更高電流系列商品擴充。
緊隨納米技術(shù)態(tài)勢，產(chǎn)業(yè)布局第二代積體電路。
1.2 股份分散，雇員鞭策廣為實行
創(chuàng)業(yè)團隊砥礪前行，股份鞭策到位。
1.3 業(yè)績高增，把握高增長及代替發(fā)展機遇
收入及凈利穩(wěn)步高增，受惠于下游高增長及代替發(fā)展機遇。
新商品放量提升，進入高增長高增長時期。
總體毛利率穩(wěn)中有升，積體電路硅片毛利率提升顯著。
精細化運營提升管理效率，有效降低期間費用率。
輸出功率積體電路下游應(yīng)用十分廣為，電動汽車及工控為前兩大應(yīng)用領(lǐng)域。
輸出功率積體電路幾乎應(yīng)用于包括計算機領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)通信、消費類電子、工業(yè)控制等傳統(tǒng)電子產(chǎn)業(yè)及新能源電動汽車、光伏發(fā)電等等各類電子制造業(yè)。
根據(jù) Yole 統(tǒng)計，2019年電動汽車及工業(yè)領(lǐng)域為前兩大應(yīng)用領(lǐng)域，各占據(jù)29%的份額，其次為通訊、計算機等。
中長期來看，新能源電動汽車、工業(yè)自動化、可再生能源設(shè)施建設(shè)及新興消費電子等領(lǐng)域?qū)⒎€(wěn)步驅(qū)動行業(yè)增長。
高端二極管國產(chǎn)代替仍有較大空間，TNUMBERA46二極管于國內(nèi)居領(lǐng)跑地位。小家電用二極管
當前國產(chǎn)商品中，中大型民營企業(yè)占據(jù)50%份額，分散度較高。
TNUMBERA46擁有從晶片制造到封裝測試全套生產(chǎn)工藝，為國內(nèi)少數(shù)生產(chǎn)、制造全系列商品二極管、整流器橋、分立器件晶片的規(guī)模民營企業(yè)之一。
2.1 MOSFET：需求端全面爆發(fā)，供給端產(chǎn)能吃緊
輸出功率 MOSFET 為現(xiàn)代電源開關(guān)器件的優(yōu)先選擇，適用高頻低輸出功率場景。
輸出功率 MOSFET 以其工作頻率較高、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗、高擊穿電流、高電流等特點，廣為應(yīng)用于如 AC-DC、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等開關(guān)穩(wěn)壓器及電機控制器，而由于輸出功率 MOSFET 是多子器件，導(dǎo)通損耗比較大，導(dǎo)通時器件壓降較大，不適用于大輸出功率裝置。
MOSFET 應(yīng)用場景涵蓋消費電子、計算機及外設(shè)設(shè)備、通信設(shè)備、電動汽車電子、工業(yè)電子設(shè)備等多領(lǐng)域。
依據(jù)耐壓性能，MOSFET 可分為中低壓和高壓。
由于 MOSFET 應(yīng)用環(huán)境多樣且復(fù)雜，性能及參數(shù)以環(huán)境而定，故種類和型號多樣，通常可以根據(jù)其耐壓性能分為中低壓 MOSFET（通常為<200V）和高壓 MOSFET（通常為>600V），當中低壓應(yīng)用場景包含便攜式消費電子、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、顯示、照明、適配器、通訊電源（高頻）、嵌入式系統(tǒng)及工業(yè)領(lǐng)域等，高壓 MOS 應(yīng)用場景包含高壓開關(guān)電源、AC 適配器、電動汽車充電器、家電、基站、高壓逆變器、電子鎮(zhèn)流器等。小家電用二極管
電動汽車電子、消費電子和工業(yè)電子為 MOSFET 最大的下游應(yīng)用領(lǐng)域。
他們認為新能源電動汽車、工業(yè) 4.0 智能裝備建設(shè)以及 5G 基建同樣帶來高壓 MOSFET 的高增長發(fā)展機遇。
輸出功率器件對制程要求不高，主要在8寸及6寸產(chǎn)線生產(chǎn)。
在摩爾定律驅(qū)動下，晶片晶圓尺寸由6寸→8寸→12寸演變。晶圓面積越大，所能生產(chǎn)的晶片就越多，可大幅降低成本。
但相比于12寸晶圓，8英寸固定成本低、達到成本效益生產(chǎn)量要求較低、技術(shù)成熟等特點被應(yīng)用于輸出功率器件、MEMS、電源管理晶片等特色工藝晶片的制作，與12寸逐步形成互補。
8寸晶圓設(shè)備停產(chǎn)，限制產(chǎn)能釋放。
8寸晶圓廠始建于1990年， 2007年全球8寸晶圓代工廠數(shù)量達到頂峰201座，隨后12寸晶圓漸漸成熟，存儲，邏輯代工等產(chǎn)能紛紛遷移至12寸晶圓。
8寸晶圓代工廠由于運行時間過長，設(shè)備老舊，同時12寸晶圓廠資本支出規(guī)模巨大，部分廠商漸漸關(guān)閉8寸晶圓廠，設(shè)備廠商也停止生產(chǎn)8寸設(shè)備。
新增產(chǎn)能以 12 寸為主，8 寸晶圓代工廠產(chǎn)能近年無明顯擴張。
據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球積體電路制造商在 2021~2022 年將新建 29 座工廠（全部投產(chǎn)后，新增月產(chǎn)能 260 萬等效 8 寸片），當中 2021 年開建 19 座，2022 年再建 10 座。
據(jù) SIA 預(yù)測，2020~2024，全球 8 寸晶圓產(chǎn)能增長僅 17%。
據(jù) DIGITIMES 數(shù)據(jù)，2018~2021 年全球前十大晶圓代工廠 8 寸晶圓代工產(chǎn)能 CAGR 平均僅 4.2%。
2.2 IGBT：為新能源電動汽車的核心，受惠電動化態(tài)勢
IGBT 為新能源電動汽車核心，是最有提升空間的部分。
新能源電動汽車包含三大系統(tǒng)：電源、電機、電控。電源幾乎占據(jù)整車成本的 50%，但受限于鋰電池技術(shù)條件，提升空間不大。
目前在新能源電動汽車中，最有提升空間的當屬電機驅(qū)動部分，電機的技術(shù)水平直接影響整車的性能和成本，而電機驅(qū)動部分最核心的元件為 IGBT。IGBT 主要應(yīng)用在逆變器中，成本約占整個電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半，作用是將高壓電池的直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動三相電機的交流電。
此外 IGBT 在電動汽車充電樁、車載電控等也有至關(guān)重要的作用，在車載空調(diào)控制系統(tǒng)、小輸出功率直流/交流(DC/AC)逆變，也有使用小輸出功率的 IGBT。
從成本端看，IGBT 模塊單車價值量高。
電控系統(tǒng)在整車成本中占比第二，而作為電控的核心部件，IGBT 占據(jù)整個電控系統(tǒng)成本約 37%，如果加上充電系統(tǒng)中所用到的 IGBT（占充電柱成本約 20%），其成本占比將會更高。在特斯拉的雙電機全驅(qū)動版車型 Model X中，使用了 132 個 IGBT 管，當中前電機有 36 個，后電機有 96 個，價值大約 在 650 美元。小家電用二極管
工業(yè)控制、白色家電、動車等領(lǐng)域，IGBT 同樣具備潛力。
工控領(lǐng)域大量使用交直流電動機，例如數(shù)控機床的伺服電機、軋鋼機和礦山牽引、大型鼓風機等都采用電力電子變頻調(diào)速技術(shù)。當中 IGBT 在變頻器中擔任輸出驅(qū)動。
光伏等新能源領(lǐng)域迅速發(fā)展同樣具備推動力。
近年來以風能、太陽能等為代表者的新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，風力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器器和逆變器都須要使用 IGBT 模塊，而且 IGBT 模塊是逆變器的核心電子元器件，因此，未來新能源領(lǐng)域的快速發(fā)展將會助推 IGBT 需求。
IGBT 模塊還被廣為應(yīng)用于軌交等領(lǐng)域。
動車組最核心的部件之一是牽引變流器，它負責將超高電流轉(zhuǎn)化為列車的動力，以 CRH3 為例，每輛列車裝有 4 臺牽引變流器，每臺搭載了 32 個 IGBT 模塊，則每輛列車搭載的 IGBT 模塊共計 128 個，這些 IGBT 模塊合計為整個列車提供了約 10 兆瓦的輸出功率。小家電用二極管
2.3 海外供應(yīng)商領(lǐng)跑，國產(chǎn)代替空間廣闊
英飛凌、富機電子和安森美等廠家在 1700V 以下的中低電流 IGBT 領(lǐng)域處于領(lǐng)導(dǎo)地位，三菱則主宰了 2500V 以上的高電流 IGBT 領(lǐng)域。
4.1 研發(fā)投入加大，輸出功率器件品類穩(wěn)步豐富
IGBT、MOSFET 產(chǎn)業(yè)布局趨于完善，研發(fā)廣度和深度提升。
4.2 IDM 模式強化交付，產(chǎn)能穩(wěn)步擴充
他們梳理全球前五大電動汽車晶片廠2021年四季度業(yè)績說明會，2022年電動汽車及工業(yè)晶片仍將穩(wěn)步供不應(yīng)求，供應(yīng)鏈、庫存、交期等一系列商品問題穩(wěn)步存在，五大廠商指引 2022Q1 收入環(huán)比僅有一家下滑，表明行業(yè)仍然十分強勁。
（3）意法積體電路同樣表示 2022 年電動汽車的標準產(chǎn)能（MOSFET、IGBT、MCU）已訂滿，且渠道沒有庫存積累，同時上游基板、引線框欠缺影響。緊張局勢有望在 2022 年底前逐步改善。小家電用二極管
（4）恩智浦下游電動汽車、工業(yè)等領(lǐng)域在未來4~5個季度仍然相當緊缺。渠道庫存下降到1.5個月，穩(wěn)步低于預(yù)期的 2.4~2.5 個月，2022年年內(nèi)無法解決該失衡問題。
4.3 直銷為主深度合作，雙品牌共同發(fā)力
直銷為主重視銷售投入，大客戶營銷顯成效。
耕耘輸出功率積體電路，IDM&程序語言博戈達。
MOSFET、IGBT 賽道高高增長加持國產(chǎn)代替發(fā)展機遇，帶來新增量。輸出功率 MOSFET 為現(xiàn)代電源開關(guān)器件的優(yōu)先選擇，適用高頻低輸出功率場景。小家電用二極管
商品開發(fā)不及預(yù)期風險：
產(chǎn)能擴充不及預(yù)期風險：
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