肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode，縮寫為SBD)的縮寫。SBD并非采用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結的原理，而是采用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結的原理。所以SBD又稱金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管。

二、肖特基二極管結構。

肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，因此其正向?qū)ê驼驂航稻陀赑N結二極管(約0.2V)。

由于SBD的反向恢復電荷非常小，開關速度非常快，開關損耗也非常小，特別適合高頻應用。

三、肖特基二極管的缺點。

肖特基二極管和普通二極管都是單向?qū)щ?，可以用于整流電路。肖特基二極管最大的缺點是反向偏壓低，反向漏電流大。比如以硅和金屬為材料的肖特基二極管，反向偏壓額定耐壓最高只有50V，反向漏電流值為正溫度特性，隨著溫度的升高容易急劇增大。在實際設計中，應注意其熱失控的隱患。

四、肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別。

(1)正壓降:普通二極管壓降大(0.7~1.7V)，肖特基二極管小(0.15~0.45V)。

(2)耐壓值:普通二極管的耐壓可以做得更高，但其恢復速度較低，只能用于低頻整流。高頻時會因無法快速恢復而反向漏電，導致嚴重發(fā)熱燒毀。肖特基二極管的耐壓值較低，但恢復速度快，可用于高頻場合。因此，肖特基二極管通常用于開關電源的整流輸出。

(3)反向恢復時間:肖特基二極管比普通二極管快得多。

(4)反漏電流:肖特基二極管反漏電流大。